Hòstia de silici mitjà

Hòstia de silici mitjà

Aquest medi de silici d'alta -puresa està dissenyat per funcionar com a base de processament fiable per a les arquitectures microelectròniques més avançades. Optimitzat en tot el conjuntDe 2 polzades (50 mm) a 12 polzades (300 mm)d'espectre de diàmetre, aquests substrats proporcionen l'estabilitat termomecànica necessària necessària per a la integració complexa de dispositius en diverses-etapes en entorns de fabricació altament controlats.

Avantatges tècnics bàsics:

Propietats cinètiques equilibrades:El mitjà presenta una estructura de material meticulosament equilibrada que millora l'estabilitat tèrmica i elèctrica. Mantenint un estricte control sobreconcentració radial d'oxigen i perfecció de la xarxa, garanteix un comportament coherent durant la implantació d'ions d'alta-energia i els cicles de difusió tèrmica volàtils.

Estabilitat de fase entre lots:Dissenyat per a la fabricació de grans-volums, aquest mitjà funciona amb una consistència excepcional en tots els lots de producció. Aquesta estabilitat entre-lots minimitza la deriva del procés i permet un control més estrictetensió llindar (Vth) i mobilitat del portadoren aplicacions de potència IC i RF.

Precisió-Integritat geomètrica orientada a la precisió:Dissenyat per a les aplicacions de precisió més exigents, el mitjà admet una planitud extrema (TTV) i una deformació baixa. Aquesta integritat geomètrica facilita l'alineació fotolitogràfica d'alta-resolució, que es correlaciona directament amb una elevació enrendiment del nivell-hòstia i fiabilitat del dispositiu.

Etiquetes populars: Mitjà d'hòsties de silici, fabricants d'hòsties de silici de la Xina, proveïdors, fàbrica