Lingot de silici ultra-suaus

Lingot de silici ultra-suaus

Ultra-Smooth Silicon Ingot està dissenyat per als fabricants que superen els límits de la tecnologia d'hòsties fines-i la producció automatitzada d'alta-velocitat. Reconeixent que la rugositat superficial és una manifestació directa de l'estrès residual del lingot, aquests lingots es cultiven amb unEstrès isotèrmic-Neutralitzacióprotocol. Això garanteix que la matriu cristal·lina estigui relaxada i uniforme des del nucli fins al perímetre. Durant la fase de tall, el material presenta una "resposta atèrmica", és a dir, el fil de diamant llisca a través del silici amb una fricció i una vibració mínimes. El resultat és una superfície d'hòstia "Near-Prime" que requereix molt menys gravat i polit químics, reduint directament les vostres despeses operatives (OpEx) alhora que es preserva la integritat mecànica del substrat.

Dissenyat per minimitzar les tensions internes:La nostra tecnologia Ultra-Smooth utilitza un perfil tèrmic avançat "Slow-Cool" i una estabilització electromagnètica de la massa fosa. En eliminar les fluctuacions ràpides de temperatura que "bloquegen" l'estrès al cristall, produïm un lingot amb una gelosia estabilitzada, assegurant que les hòsties romanguin perfectament planes i lliures d'estrès-fins i tot després de ser tallades a rodanxes.90 μm.

Formació de microfissures reduïda i danys a la sub{0}}superfície (SSD):Optimitzats específicament per al serrat de filferro de -generació 2026-diamant-d'alta tensió, aquests lingots presenten una densitat homogeneïtzada que resisteix la fractura fràgil. Aquesta reducció de l'inici de microesquerdes assegura una "taxa de recuperació neta" més alta i evita la propagació de defectes durant les etapes posteriors de difusió a alta -temperatura i muntatge de cèl·lules.

Superfícies d'hòsties llises per a una passivació optimitzada:La naturalesa "Ultra-suau" de les hòsties resultants proporciona una base superior per als processos ALD (Atomic Layer Deposition) i PECVD. Amb menys pics i valls superficials, les capes de passivació es poden aplicar de manera més uniforme, reduint significativament la recombinació de portadors i augmentant l'eficiència de conversió final de les arquitectures TOPCon i HJT.

Etiquetes populars: lingot de silici ultra-, fabricants, proveïdors, fàbrica de lingots de silici ultra- de la Xina