Lingot de cristall de silici ultra-puretat

Lingot de cristall de silici ultra-puretat

El nostre lingot de cristall de silici semiconductor d'ultra-puresa està dissenyat mitjançant una metodologia de creixement Czochralski avançada combinada amb una desgasificació d'alt-buit i un refinament de plasma. Amb impureses metàl·liques reduïdes a nivells sub-ppb i control d'oxigen adaptat per a l'optimització de la difusió aigües avall, aquest lingot presenta una integritat estructural i consistència elèctrica excepcionals. Dissenyat per suportar plataformes-de semiconductors d'avantguarda, garanteix una deriva de resistivitat mínima, una vida útil fiable del portador i un millor rendiment de les hòsties. Aquest material s'utilitza àmpliament en circuits integrats lògics, IGBT, MOSFET de potència, xips de memòria, mòduls de RF i desenvolupament de fotònica-de silici. La seva compatibilitat amb línies de producció d'hòsties de 200 mm/300 mm i el processament emergent d'hòsties de gran-diàmetre ultra-permet que les fabriques redueixin el cost-per-dispositiu alhora que augmenten la producció i la fiabilitat-a llarg termini. Ideal per a comunicacions d'alta-freqüència, xips informàtics d'IA i electrònica d'automoció de-última generació.

Etiquetes populars: Lingot de cristall de silici semiconductor ultra-puretat, fabricants de lingot de cristall de silici semiconductor ultra-de puresa Xina, proveïdors, fàbrica