Diferència entre hòsties de silici semiconductors i hòsties de silici fotovoltaic

Les hòsties de silici semiconductors també s'anomenen "hòsties de silici" o "hòsties" perquè les hòsties de silici utilitzades per als semiconductors són rodones. L'hòstia és el "substrat" ​​per a la fabricació d'encenalls, i totes les xips es fabriquen sobre aquest "substrat".

Les hòsties de silici fotovoltaic són silici escamoss d'alta puresa format per tallar, polir, netejar i altres processos a partir de barres de silici. Són materials semiconductors importants. S'hi barregen petites quantitats d'elements del grup IIIA (bor) per formar silici de tipus P. Semiconductors; l'addició de traces d'elements del grup VA (fòsfor) pot formar semiconductors de silici de tipus N; La combinació de semiconductors de tipus N i P pot fer cèl·lules fotovoltaiques de silici cristal·lí, que converteixen l'energia de radiació del sol en energia elèctrica. Les hòsties de silici monocristal·lí fotovoltaic es divideixen en dos tipus: silici monocristal·lí i silici policristalí, dels quals el silici policristalí representa al voltant del 60%.

Quines són les principals diferències entre les hòsties de silici semiconductors i les hòsties de silici fotovoltaic?
Les hòsties de silici semiconductors tenen requisits més elevats que les hòsties de silici fotovoltaic. Les hòsties de silici utilitzades a la indústria dels semiconductors són totes silici monocristal·lí, per tal d'assegurar les mateixes característiques elèctriques a cada lloc de la hòstia de silici. Pel que fa a la forma i la mida, les hòsties de silici monocristal·lí per a fotovoltaics són quadrades, principalment amb longituds laterals de 125 mm, 150 mm i 156 mm. Les hòsties de silici monocristal·lí per a semiconductors són rodones, amb un diàmetre de 150 mm (hòstia de 6-polzades), 200 mm (hòstia de {8-polzades) i 300 mm (hòstia de 12-polzades). Pel que fa a la puresa, la puresa de les hòsties de silici monocristal·lí per a fotovoltaics requereix un contingut de silici entre 4N-6N (99,99%-99,9999%), però la puresa de les hòsties de silici monocristal·lí per a semiconductors és d'uns 9N. (99,9999999%)-11N (99,999999999%). El requisit de puresa és almenys 1,000 vegades el de les hòsties de silici monocristal·lí fotovoltaic. Pel que fa a l'aparença, les hòsties de silici semiconductors tenen requisits més elevats de planitud, suavitat i neteja de la superfície que les hòsties de silici fotovoltaic. La puresa és la diferència més gran entre les hòsties de silici monocristal·lí per a fotovoltaics i les hòsties de silici monocristal·lí per a semiconductors.